सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स सेमीकंडक्टर मेमोरी डिजाइन में सुधार करता है
दक्षिण कोरियाई अर्धचालक उद्योग ने हाल ही में खुलासा किया कि सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स 12 नैनोमीटर डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM) "D1B" के डिजाइन में सुधार कर रहा है।

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स 2023 में पहली बार "डी 1 बी" का उत्पादन करेंगे, जो ग्राफिक्स कार्ड ड्राम और मोबाइल फोन ड्राम पर लागू होंगे।DRAM डिजाइन में यह परिवर्तन, जो एक वर्ष से अधिक समय से उत्पादन में है, अर्धचालक उद्योग में एक दुर्लभ मामला है।
पेशेवरों का कहना है कि डिजाइन को बदलना एक आसान निर्णय नहीं है, क्योंकि विनिर्माण प्रक्रियाओं में परिवर्तन से लागत बढ़ सकती है।इसका मतलब है कि कंपनी को प्रक्रियाओं और उत्पादों में सुधार के लिए एक जरूरी जागरूकता है।
सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स नए "डी 1 बी" डिजाइन के आधार पर अपनी उत्पादन प्रक्रिया को संशोधित कर रहा है, 2024 के अंत तक एक आपातकालीन उपकरण आदेश जारी करता है, अपनी मौजूदा उत्पादन लाइन को अपग्रेड करता है, और प्रौद्योगिकी हस्तांतरण का संचालन करता है।उपकरण निर्माण और परीक्षण संचालन की प्रगति को ध्यान में रखते हुए, नया "डी 1 बी" वर्ष के भीतर बड़े पैमाने पर उत्पादित किया जाएगा और दूसरी या तीसरी तिमाही के रूप में जल्दी जारी होने की उम्मीद है।
"D1B" डिज़ाइन को बदलने के अलावा, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने DRAM प्रतिस्पर्धा को बढ़ाने के लिए "D1B-P" नामक एक नई विकास परियोजना भी शुरू की है।