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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलATP213-TL-H
onsemi
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ATP213-TL-H - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
ATP213-TL-H
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-ATP213-TL-H
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
पैकेज
ATPAK (2 Leads+Tab)
विवरण तालिका
onsemi REACH.pdf
onsemi RoHS.pdf
ATP213.pdf
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf
Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf
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विशेष विवरण

ATP213-TL-H तकनीकी विनिर्देश
onsemi - ATP213-TL-H तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - ATP213-TL-H के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र -  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज ATPAK  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 25A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण ATPAK (2 Leads+Tab)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3150 pF @ 20 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या ATP213  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi ATP213-TL-H के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता ATP213-TL-H ATP212-TL-H ATP208-TL-H ATP214-TL-H
भाग संख्या ATP213-TL-H ATP212-TL-H ATP208-TL-H ATP214-TL-H
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 40 V 60 V
शृंखला - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tc) 40W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3150 pF @ 20 V 1820 pF @ 20 V 4510 pF @ 20 V 4850 pF @ 20 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V 34.5 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Ta) 35A (Ta) 90A (Ta) 75A (Ta)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 25A, 10V 23mOhm @ 18A, 10V 6mOhm @ 45A, 10V 8.1mOhm @ 38A, 10V
आधार उत्पाद संख्या ATP213 ATP212 ATP208 ATP214

ATP213-TL-H डेटशीट पीडीएफ

ATP213-TL-H - onsemi के लिए ATP213-TL-H PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

2 डी चित्र
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf ATP213.pdf Mult Devices 28/Apr/2017.pdf Mult Devices 31/Jan/2019.pdf Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf

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ग्राहक समीक्षा

मूल्यांकन: 17 लेख

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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