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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB10N65K3
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STB10N65K3 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB10N65K3
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB10N65K3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx(x)10N65K3.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 23987

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मात्रा

विशेष विवरण

STB10N65K3 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB10N65K3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB10N65K3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला SuperMESH3™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1Ohm @ 3.6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1180 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 42 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB10N6  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB10N65K3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB10N65K3 STB10LN80K5 STB100NF04T4 STB10NK60Z-1
भाग संख्या STB10N65K3 STB10LN80K5 STB100NF04T4 STB10NK60Z-1
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1180 pF @ 25 V 427 pF @ 100 V 5100 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc) 115W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1Ohm @ 3.6A, 10V 630mOhm @ 4A, 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आधार उत्पाद संख्या STB10N6 STB10 STB100 STB10N
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A (Tc) 8A (Tc) 120A (Tc) 10A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±30V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 42 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला SuperMESH3™ MDmesh™ K5 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II SuperMESH™
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 800 V 40 V 600 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK I2PAK
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole

STB10N65K3 डेटशीट पीडीएफ

STB10N65K3 - STMicroelectronics के लिए STB10N65K3 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx(x)10N65K3.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB10N65K3

STMicroelectronics
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