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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTL18NM60N
STMicroelectronics
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

STL18NM60N - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STL18NM60N
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STL18NM60N
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-PowerVDFN
विवरण तालिका
STL18NM60N.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 21820

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मात्रा

विशेष विवरण

STL18NM60N तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STL18NM60N तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STL18NM60N के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerFlat™ (8x8) HV  
शृंखला MDmesh™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 310mOhm @ 6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3W (Ta), 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण 8-PowerVDFN  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.1A (Ta), 12A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STL18  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STL18NM60N के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STL18NM60N STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N65M5
भाग संख्या STL18NM60N STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N65M5
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 10V
पैकेज / प्रकरण 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 50 V 3245 pF @ 25 V 2085 pF @ 12 V 1250 pF @ 100 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 2.3V @ 1mA 500mV @ 250µA (Min) 5V @ 250µA
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 30 V 12 V 650 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 310mOhm @ 6A, 10V 2.1mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 8A, 4.5V 299mOhm @ 6A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±8V ±25V
परिचालन तापमान 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 26.5 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.1A (Ta), 12A (Tc) 160A (Tc) 16A (Tc) 12A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3W (Ta), 110W (Tc) 84W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 90W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (8x8) HV
शृंखला MDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ V MDmesh™ V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET फ़ीचर - - - -
आधार उत्पाद संख्या STL18 STL160 STL16 STL16

STL18NM60N डेटशीट पीडीएफ

STL18NM60N - STMicroelectronics के लिए STL18NM60N PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STL18NM60N.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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