31DQ10 तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - 31DQ10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - 31DQ10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 850 mV @ 3 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Cut Tape (CT) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -40°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3.3A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 110pF @ 5V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | 31DQ |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions 31DQ10 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 31DQ10 | RS2BA-13-F | MBRS360T3 | 31DQ09 |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | onsemi | SMC Diode Solutions |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| आधार उत्पाद संख्या | 31DQ | RS2B | MBRS360 | 31DQ |
| शृंखला | - | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Standard | Schottky | Schottky |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 850 mV @ 3 A | 1.3 V @ 1.5 A | 740 mV @ 3 A | 850 mV @ 3 A |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | 100 V | 60 V | 90 V |
| पैकेट | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3.3A | 1.5A | 4A | 3.3A |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial | DO-214AC, SMA | DO-214AB, SMC | DO-201AD, Axial |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | SMA | SMC | DO-201AD |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | -40°C ~ 150°C |
| समाई @ वीआर, एफ | 110pF @ 5V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | - | 110pF @ 5V, 1MHz |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 150 µA @ 60 V | 1 mA @ 90 V |
31DQ10 - SMC Diode Solutions के लिए 31DQ10 PDF DataSheets और SMC Diode Solutions प्रलेखन डाउनलोड करें।
RS2BA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA31DQ10-FCNIHONMBRS360T3onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC31DQ09SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 90V 3.3A DO201AD
1N1437RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
31DQ05TRElectro-Films (EFI) / Vishay
S2MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA31DQ10-FC5NIHON
CDBMH360-HFComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123T
16F80Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO4
SBL840Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 8A TO220AC
US1GHE3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC20BQ030TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
C3D02060EWolfspeed, Inc.DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-2
1N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER31DF4-FC3NIECNTE5981NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 40A DO531DQ05SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 50V 3.3A DO201AD| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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