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- 2024/06/16
डाटा शीट
1N5820 - 1N5822.pdfPCN असेंबली/ओरिजिन
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $0.442 | $0.44 |
| 10+ | $0.358 | $3.58 |
| 30+ | $0.317 | $9.51 |
| 100+ | $0.276 | $27.60 |
| 500+ | $0.251 | $125.50 |
| 1000+ | $0.239 | $239.00 |
1N5822-E3/73 तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5822-E3/73 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5822-E3/73 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 525 mV @ 3 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 40 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Cut Tape (CT) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 125°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 2 mA @ 40 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | |
| समाई @ वीआर, एफ | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N5822 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5822-E3/73 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 1N5822-E3/51 | 1N5822-E3/54 | 1N5822-T | 1N5822-B |
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | - | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| शृंखला | - | - | - | - |
| पैकेट | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | - | - | - | - |
| समाई @ वीआर, एफ | - | - | - | - |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | - | - | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| प्रौद्योगिकी | - | - | - | - |
| गति | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| पैकेज / प्रकरण | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | - | - | - | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | - | - | - | - |
1N5822-E3/73 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division के लिए 1N5822-E3/73 PDF DataSheets और Vishay General Semiconductor - Diodes Division प्रलेखन डाउनलोड करें।
1N5822-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822.TRSemtech Corporation3A, 40V SCHOTTKY TR
1N5822/SS24TOSHIBA/GC
1N5822-BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822-DS24WTOSHIBA/GC
1N5822-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5822/SS34TOSHIBA/GC
1N5822-TPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822-DS26WTOSHIBA/GC
1N5822-APMicro Commercial CoInterface
1N5822-ADiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201ADआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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