ESH3B-E3/57T तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ESH3B-E3/57T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ESH3B-E3/57T के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 900 mV @ 3 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-214AB (SMC) | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 40 ns |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेज / प्रकरण | DO-214AB, SMC | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 175°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 100 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | |
| समाई @ वीआर, एफ | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | ESH3 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3B-E3/57T के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | ESH3B-E3/57T | ESH2PDHM3/84A | ESH3DHE3_A/I | ESH3DHE3/9AT |
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-214AB (SMC) | DO-220AA (SMP) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| पैकेज / प्रकरण | DO-214AB, SMC | DO-220AA | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC |
| आधार उत्पाद संख्या | ESH3 | ESH2 | ESH3 | ESH3 |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 100 V | 1 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 40 ns | 25 ns | 40 ns | 40 ns |
| समाई @ वीआर, एफ | - | 25pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 4V, 1MHz | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | 2A | 3A | 3A |
| शृंखला | - | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 900 mV @ 3 A | 980 mV @ 2 A | 900 mV @ 3 A | 900 mV @ 3 A |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
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ESH2PDHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AAESH3DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214ABESH3DHE3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214ABESH2PB-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA
ESHF-115-01-L-D-SM-TRSamtec Inc.CONN HEADER SMD 30POS 1.27MMESH2PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AAESH2PBHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 2A DO220AAESH3D-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214ABESH2PD-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA
ESHF-115-01-L-D-SM-LCSamtec Inc.CONN HEADER SMD 30POS 1.27MMESH3C-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 3A DO214ABESH2PC-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 2A DO220AAESHF-115-01-F-D-SM-LCSamtec, Inc.ESH2PB-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 2A DO220AAESH2PD-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AAESH2PC-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA
ESH3DHE3-A/IElectro-Films (EFI) / VishayESH3D-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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