- Jess***Jones
- 2026/04/17
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Infineon Technologies - AUIRFN8459TR तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - AUIRFN8459TR के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Infineon Technologies | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.9V @ 50µA | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | PQFN (5x6) | |
| शृंखला | HEXFET® | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 5.9mOhm @ 40A, 10V | |
| पावर - मैक्स | 50W | |
| पैकेज / प्रकरण | 8-PowerTDFN | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2250pF @ 25V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 60nC @ 10V | |
| FET फ़ीचर | - | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 40V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 50A | |
| विन्यास | 2 N-Channel (Dual) | |
| आधार उत्पाद संख्या | AUIRFN8459 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies AUIRFN8459TR के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | AUIRFN8459TR | AUIRFN8458TRXTMA1 | AUIRFN8458TR | AUIRFP1405-IR |
| उत्पादक | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| पावर - मैक्स | 50W | 34W (Tc) | 34W (Tc) | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 40V | 40V | 40V | - |
| आधार उत्पाद संख्या | AUIRFN8459 | AUIRFN8458 | AUIRFN8458 | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 50A | 43A (Tc) | 43A (Tc) | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 60nC @ 10V | 33nC @ 10V | 33nC @ 10V | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 5.9mOhm @ 40A, 10V | 10mOhm @ 26A, 10V | 10mOhm @ 26A, 10V | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.9V @ 50µA | 3.9V @ 25µA | 3.9V @ 25µA | - |
| शृंखला | HEXFET® | - | HEXFET® | * |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2250pF @ 25V | 2250pF @ 25V | 1060pF @ 25V | - |
| पैकेज / प्रकरण | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - |
| विन्यास | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
AUIRFN8459TR - Infineon Technologies के लिए AUIRFN8459TR PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।
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AUIRFP064N-IRInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNELआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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