- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $0.742 | $0.74 |
| 10+ | $0.63 | $6.30 |
| 30+ | $0.575 | $17.25 |
| 100+ | $0.52 | $52.00 |
| 500+ | $0.486 | $243.00 |
| 1000+ | $0.469 | $469.00 |
IRF7456TRPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7456TRPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7456TRPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Infineon Technologies | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2V @ 250µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±12V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SO | |
| शृंखला | HEXFET® | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 6.5mOhm @ 16A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2.5W (Ta) | |
| पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3640 pF @ 15 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 62 nC @ 5 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 2.8V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 16A (Ta) | |
| आधार उत्पाद संख्या | IRF7456 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF7456TRPBF के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ||||
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | IRF7456TRPBF-1 | IRF7455TRPBF-1 | IRF7457TRPBF | IRF7455TRPBF |
| उत्पादक | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | - | - | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | - | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | - | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| पैकेज / प्रकरण | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - | - | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - | - | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - | - | - | - |
| FET प्रकार | - | - | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | - | - | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| पैकेट | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| परिचालन तापमान | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | - | - | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | - | - | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | - | - | - | - |
IRF7456TRPBF - Infineon Technologies के लिए IRF7456TRPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।
IRF7457PBFInternational RectifierSMPS HEXFET POWER MOSFET
IRF7456IR
IRF7456TRPBF MOSIR
IRF7457TRPBF MOSIR
IRF7456TRPBF.IR
IRF7455TRPBF.IR
IRF7457PBF MOSIR
IRF7456TRIR
IRF7455TRIR
IRF7456 MOSIR
IRF7455TRPBF MOSIR
IRF7456PBFInternational RectifierIRF7456 - SMPS HEXFET POWER MOSFआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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