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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़IRF9953TR
IRF9953TR Image
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

IRF9953TR - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF9953TR
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF9953TR
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF9953TR.pdf
स्टॉक में: 3810

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF9953TR तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF9953TR तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF9953TR के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 250mOhm @ 1A, 10V  
पावर - मैक्स 2W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 190pF @ 15V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 12nC @ 10V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.3A  
विन्यास 2 P-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या IRF995  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF9953TR के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF9953TR IRF9956 IRF9953 IRF9952TRPBF
भाग संख्या IRF9953TR IRF9956 IRF9953 IRF9952TRPBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
पावर - मैक्स 2W 2W 2W 2W
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V
आधार उत्पाद संख्या IRF995 IRF995 IRF995 IRF995
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30V 30V 30V 30V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V 190pF @ 15V
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
विन्यास 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.3A 3.5A 2.3A 3.5A, 2.3A
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 12nC @ 10V 14nC @ 10V 12nC @ 10V 14nC @ 10V

IRF9953TR डेटशीट पीडीएफ

IRF9953TR - Infineon Technologies के लिए IRF9953TR PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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