- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 5+ | $0.215 | $1.08 |
| 50+ | $0.152 | $7.60 |
| 150+ | $0.135 | $20.25 |
| 500+ | $0.115 | $57.50 |
| 2000+ | $0.105 | $210.00 |
| 5000+ | $0.10 | $500.00 |
IRF9Z24NPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF9Z24NPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF9Z24NPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Infineon Technologies | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | |
| शृंखला | HEXFET® | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 175mOhm @ 7.2A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 45W (Tc) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 | |
| पैकेट | Tube |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 350 pF @ 25 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 19 nC @ 10 V | |
| FET प्रकार | P-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 55 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 12A (Tc) | |
| आधार उत्पाद संख्या | IRF9Z24 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF9Z24NPBF के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | IRF9Z24NSPBF | IRF9Z24NLPBF | IRF9Z24NSTRLPBF | IRF9Z24PBF-BE3 |
| उत्पादक | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - | - | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | - | - | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - | - | - | - |
| परिचालन तापमान | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | - | - | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| पैकेट | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | - | - | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | - | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | - | - | - | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | - | - | - | - |
| FET प्रकार | - | - | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
IRF9Z24NPBF - Infineon Technologies के लिए IRF9Z24NPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।
IRF9Z24N MOSIR
IRF9Z24NSTRRPBFIR
IRF9Z22NIR
IRF9Z20NIR
IRF9Z24NLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 12A TO262
IRF9Z24NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 12A TO262आपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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