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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFH7004TR2PBF
Infineon Technologies
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

IRFH7004TR2PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFH7004TR2PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFH7004TR2PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-VQFN Exposed Pad
विवरण तालिका
IRFH7004TR2PBF.pdf
स्टॉक में: 4180

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFH7004TR2PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFH7004TR2PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFH7004TR2PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.9V @ 150µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-PQFN (5x6)  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.4mOhm @ 100A, 10V  
पैकेज / प्रकरण 8-VQFN Exposed Pad  
पैकेट Cut Tape (CT)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6419 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 194 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFH7004TR2PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFH7004TR2PBF IRFH5406TRPBF IRFH6200TR2PBF IRFH6200TRPBF
भाग संख्या IRFH7004TR2PBF IRFH5406TRPBF IRFH6200TR2PBF IRFH6200TRPBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 194 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 230 nC @ 4.5 V 230 nC @ 4.5 V
शृंखला - HEXFET® - HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.4mOhm @ 100A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V
पैकेट Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.9V @ 150µA 4V @ 50µA 1.1V @ 150µA 1.1V @ 150µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
पैकेज / प्रकरण 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6419 pF @ 25 V 1256 pF @ 25 V 10890 pF @ 10 V 10890 pF @ 10 V
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V 60 V 20 V 20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 49A (Ta), 100A (Tc) 49A (Ta), 100A (Tc)

IRFH7004TR2PBF डेटशीट पीडीएफ

IRFH7004TR2PBF - Infineon Technologies के लिए IRFH7004TR2PBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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