- Jess***Jones
- 2026/04/17
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Multiple Devices 13/Nov/2013.pdfIRFH7911TR2PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFH7911TR2PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFH7911TR2PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Infineon Technologies | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.35V @ 25µA | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | PQFN (5x6) | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8.6mOhm @ 12A, 10V | |
| पावर - मैक्स | 2.4W, 3.4W | |
| पैकेज / प्रकरण | 18-PowerVQFN | |
| पैकेट | Cut Tape (CT) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1060pF @ 15V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 12nC @ 4.5V | |
| FET फ़ीचर | Logic Level Gate | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 13A, 28A | |
| विन्यास | 2 N-Channel (Dual) | |
| आधार उत्पाद संख्या | IRFH7911 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 2 (1 Year) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | IRFH7911TR2PBF | IRFH7911TRPBF | IRFH7914TR2PBF | IRFH7885TRPBF |
| उत्पादक | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| पावर - मैक्स | 2.4W, 3.4W | 2.4W, 3.4W | - | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8.6mOhm @ 12A, 10V | 8.6mOhm @ 12A, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 3.9mOhm @ 50A, 10V |
| पैकेज / प्रकरण | 18-PowerVQFN | 18-PowerVQFN | 8-PowerTDFN | 8-VQFN |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| विन्यास | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 12nC @ 4.5V | 12nC @ 4.5V | 12 nC @ 4.5 V | 54 nC @ 10 V |
| पैकेट | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | PQFN (5x6) | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| आधार उत्पाद संख्या | IRFH7911 | IRFH7911 | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V | 30V | 30 V | 80 V |
| शृंखला | - | HEXFET® | - | FASTIRFET™ |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 3.6V @ 150µA |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 13A, 28A | 13A, 28A | 15A (Ta), 35A (Tc) | 22A (Ta) |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1060pF @ 15V | 1060pF @ 15V | 1160 pF @ 15 V | 2311 pF @ 40 V |
| FET फ़ीचर | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
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IRFH7914TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFH7885TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN
IRFH7545IR
IRFH7914TRPBF MOSIR
IRFH7914TRPBF.IR
IRFH7921MIR
IRFH7914IR
IRFH7911MIR
IRFH7911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
IRFH7882TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN
IRFH7921PBFIR
IRFH7446TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
IRFH7545TRPBFVCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |

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