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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRLR2703TRLPBF
IRLR2703TRLPBF Image
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

IRLR2703TRLPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRLR2703TRLPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRLR2703TRLPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
IRLR2703TRLPBF.pdf
स्टॉक में: 5190

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मात्रा

विशेष विवरण

IRLR2703TRLPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRLR2703TRLPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRLR2703TRLPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±16V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-Pak  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 14A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 45W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 450 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 15 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 23A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRLR2703TRLPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRLR2703TRLPBF IRLR2705TRPBF IRLR2703PBF IRLR130ATM
भाग संख्या IRLR2703TRLPBF IRLR2705TRPBF IRLR2703PBF IRLR130ATM
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 55 V 30 V 100 V
वीजीएस (मैक्स) ±16V ±16V ±16V ±20V
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 5V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 15 nC @ 4.5 V 25 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 24 nC @ 5 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 23A (Tc) 28A (Tc) 23A (Tc) 13A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 14A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 120mOhm @ 6.5A, 5V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 450 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 45W (Tc) 68W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® -

IRLR2703TRLPBF डेटशीट पीडीएफ

IRLR2703TRLPBF - Infineon Technologies के लिए IRLR2703TRLPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
Part Number Guide.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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