- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $0.115 | $0.12 |
| 200+ | $0.046 | $9.20 |
| 500+ | $0.044 | $22.00 |
| 1000+ | $0.043 | $43.00 |
GSFL1003 तकनीकी विनिर्देश
Good-Ark Semiconductor - GSFL1003 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Good-Ark Semiconductor - GSFL1003 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Good-Ark Semiconductor | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.2V @ 250µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOT-223 | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 200mOhm @ 2A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.78W (Ta) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-261-4, TO-261AA | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2000 pF @ 50 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 30 nC @ 10 V | |
| FET प्रकार | P-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Good-Ark Semiconductor GSFL1003 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
|
|---|---|---|
| भाग संख्या | GSFL1003 | HA16PRM-3SE(71) |
| उत्पादक | Good-Ark Semiconductor | Hirose Electric Co Ltd |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Panel Mount, Through Hole |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | -25°C ~ 70°C |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100 V | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.78W (Ta) | - |
| FET प्रकार | P-Channel | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | - |
| पैकेज / प्रकरण | TO-261-4, TO-261AA | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 30 nC @ 10 V | - |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.2V @ 250µA | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOT-223 | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 200mOhm @ 2A, 10V | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2000 pF @ 50 V | - |
| FET फ़ीचर | - | - |
| शृंखला | - | HA |
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| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |

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