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घरउत्पादएकीकृत सर्किट (आईसीएस)याद71V3577S80BQI
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71V3577S80BQI - IDT, Integrated Device Technology Inc

उत्पादक भाग संख्या
71V3577S80BQI
उत्पादक
IDT (Renesas Electronics Corporation)
Allelco भाग संख्या
32D-71V3577S80BQI
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
विस्तृत विवरण
पैकेज
165-TBGA
विवरण तालिका
71V3577S80BQI.pdf
स्टॉक में: 13740

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मात्रा

विशेष विवरण

71V3577S80BQI तकनीकी विनिर्देश
IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3577S80BQI तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3577S80BQI के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IDT (Renesas Electronics Corporation)  
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ -  
वोल्टेज आपूर्ति 3.135V ~ 3.465V  
प्रौद्योगिकी SRAM - Synchronous, SDR  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 165-CABGA (13x15)  
शृंखला -  
पैकेज / प्रकरण 165-TBGA  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -40°C ~ 85°C (TA)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
स्मृति के प्रकार Volatile  
मेमोरी का आकार 4.5Mbit  
स्मृति संगठन 128K x 36  
मेमोरी इंटरफेस Parallel  
मेमोरी प्रारूप SRAM  
घड़ी आवृत्ति 100 MHz  
आधार उत्पाद संख्या 71V3577  
अभिगम समय 8 ns  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80BQI के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता 71V3577S80BQI 71V3577S75BG 71V416L12PHG 71V416S10PHG
भाग संख्या 71V3577S80BQI 71V3577S75BG 71V416L12PHG 71V416S10PHG
उत्पादक IDT, Integrated Device Technology Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
आधार उत्पाद संख्या 71V3577 71V3577 71V416L 71V416S
स्मृति संगठन 128K x 36 128K x 36 256K x 16 256K x 16
घड़ी आवृत्ति 100 MHz 117 MHz - -
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ - - 12ns 10ns
शृंखला - - - -
पैकेज / प्रकरण 165-TBGA 119-BGA 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
मेमोरी का आकार 4.5Mbit 4.5Mbit 4Mbit 4Mbit
परिचालन तापमान -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
मेमोरी इंटरफेस Parallel Parallel Parallel Parallel
पैकेट Bulk Tray Tube Tray
वोल्टेज आपूर्ति 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
अभिगम समय 8 ns 7.5 ns 12 ns 10 ns
प्रौद्योगिकी SRAM - Synchronous, SDR SRAM - Synchronous, SDR SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
स्मृति के प्रकार Volatile Volatile Volatile Volatile
प्रदायक डिवाइस पैकेज 165-CABGA (13x15) 119-PBGA (14x22) 44-TSOP II 44-TSOP II
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
मेमोरी प्रारूप SRAM SRAM SRAM SRAM

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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