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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFH20N100P
IXYS
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

IXFH20N100P - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFH20N100P
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFH20N100P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
IXF(H,T)20N100P.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 5792

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मात्रा

विशेष विवरण

IXFH20N100P तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFH20N100P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFH20N100P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 6.5V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247AD (IXFH)  
शृंखला HiPerFET™, Polar  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 570mOhm @ 10A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 660W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 126 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFH20  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFH20N100P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFH20N100P IXFH16N50P3 IXFH21N50F IXFH18N90P
भाग संख्या IXFH20N100P IXFH16N50P3 IXFH21N50F IXFH18N90P
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20A (Tc) 16A (Tc) 21A (Tc) 18A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 660W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc) 540W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 6.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5.5V @ 4mA 6.5V @ 1mA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXFH) TO-247AD (IXFH)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7300 pF @ 25 V 1515 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 5230 pF @ 25 V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 500 V 500 V 900 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
शृंखला HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™ HiPerRF™ HiPerFET™, Polar
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 570mOhm @ 10A, 10V 360mOhm @ 8A, 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 600mOhm @ 500mA, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 126 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या IXFH20 IXFH16 IXFH21 IXFH18

IXFH20N100P डेटशीट पीडीएफ

IXFH20N100P - IXYS के लिए IXFH20N100P PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXF(H,T)20N100P.pdf

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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