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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFN50N120SK
IXYS
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

IXFN50N120SK - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFN50N120SK
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFN50N120SK
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
विस्तृत विवरण
पैकेज
SOT-227-4, miniBLOC
विवरण तालिका
IXFN50N120SK.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 570

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मात्रा

विशेष विवरण

IXFN50N120SK तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFN50N120SK तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFN50N120SK के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.8V @ 10mA  
वीजीएस (मैक्स) +20V, -5V  
प्रौद्योगिकी SiCFET (Silicon Carbide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-227B  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 52mOhm @ 40A, 20V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) -  
पैकेज / प्रकरण SOT-227-4, miniBLOC  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -40°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1895 pF @ 1000 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 48A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFN50  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFN50N120SK के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFN50N120SK IXFN52N90P IXFN520N075T2 IXFN55N50
भाग संख्या IXFN50N120SK IXFN52N90P IXFN520N075T2 IXFN55N50
उत्पादक IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
पैकेज / प्रकरण SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) - 890W (Tc) 940W (Tc) 625W (Tc)
शृंखला - Polar™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 20 V 308nC @ 10V 545 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 52mOhm @ 40A, 20V 160 mOhm @ 26A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (मैक्स) +20V, -5V ±30V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.8V @ 10mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
पैकेट Tube - Tube Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1895 pF @ 1000 V 19000pF @ 25V 41000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 48A (Tc) 43A (Tc) 480A (Tc) 55A (Tc)
प्रौद्योगिकी SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1200 V 900V 75 V 500 V
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V 10V 10V 10V
आधार उत्पाद संख्या IXFN50 - IXFN520 IXFN55
परिचालन तापमान -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXFN50N120SK डेटशीट पीडीएफ

IXFN50N120SK - IXYS के लिए IXFN50N120SK PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXFN50N120SK.pdf

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डिलीवरी का समय

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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