- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
2SK2103.pdfपीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $0.278 | $0.28 |
| 10+ | $0.226 | $2.26 |
| 30+ | $0.204 | $6.12 |
| 100+ | $0.177 | $17.70 |
| 500+ | $0.165 | $82.50 |
| 1000+ | $0.157 | $157.00 |
2SK2103T100 तकनीकी विनिर्देश
Rohm Semiconductor - 2SK2103T100 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Rohm Semiconductor - 2SK2103T100 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | LAPIS Technology | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 1mA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | MPT3 | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 400mOhm @ 1A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 500mW (Ta) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-243AA | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 230 pF @ 10 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) | |
| आधार उत्पाद संख्या | 2SK2103 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Rohm Semiconductor 2SK2103T100 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 2SK2103T100 | 2SK2109-T1-AZ | 2SK2107 MOS | 2SK2103 T100 |
| उत्पादक | Rohm Semiconductor | Renesas | TOSHIB | LAPIS Technology |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | 150°C | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | ±20V | - | - |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Bulk | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 230 pF @ 10 V | 111 pF @ 10 V | - | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | TO-243AA | TO-243AA | - | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) | 500mA (Ta) | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30 V | 60 V | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | 2SK2103 | - | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 400mOhm @ 1A, 10V | 800mOhm @ 300mA, 10V | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | MPT3 | SC-62 | - | - |
| FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | - | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 500mW (Ta) | 2W (Ta) | - | - |
2SK2103T100 - Rohm Semiconductor के लिए 2SK2103T100 PDF DataSheets और Rohm Semiconductor प्रलेखन डाउनलोड करें।
2SK2107 MOSTOSHIB
2SK2101 K2101FUJI
2SK2109NEC
2SK2101-01MRFujitsu Electronics America, Inc.
2SK2099-01S-TB16RFujitsu Electronics America, Inc.
2SK2101FUJI
2SK2109-T1-AZRenesas2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
2SK211-GRTOHSIBA
2SK2109-T1Renesas Electronics Corporationआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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