- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
2SK2463.pdfपीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf2SK2463T100 तकनीकी विनिर्देश
Rohm Semiconductor - 2SK2463T100 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Rohm Semiconductor - 2SK2463T100 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | LAPIS Technology | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 1mA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | MPT3 | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 380mOhm @ 1A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 500mW (Ta) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-243AA | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 200 pF @ 10 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) | |
| आधार उत्पाद संख्या | 2SK2463 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Rohm Semiconductor 2SK2463T100 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 2SK2463T100 | 2SK2461-AZ | 2SK2462(04)-AZ | 2SK2475 |
| उत्पादक | Rohm Semiconductor | Renesas | Renesas Electronics America Inc | XDY |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | MPT3 | ITO-220AB | - | - |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | - |
| पैकेज / प्रकरण | TO-243AA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 200 pF @ 10 V | 1400 pF @ 10 V | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60 V | 100 V | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | ±20V | - | - |
| FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | 2SK2463 | - | - | - |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | 150°C | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 380mOhm @ 1A, 10V | 80mOhm @ 10A, 10V | - | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| शृंखला | - | - | * | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Through Hole | - | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) | 20A (Ta) | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 500mW (Ta) | 2W (Ta), 35W (Tc) | - | - |
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2SK2475XDY
2SK2461NEC
2SK2466NEC
2SK2462NEC
2SK2477NEC
2SK2461-AZRenesas2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF
2SK2462(04)-AZRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2473FUJIआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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