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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलQS5U36TR
Rohm Semiconductor
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

QS5U36TR - Rohm Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
QS5U36TR
उत्पादक
LAPIS Technology
Allelco भाग संख्या
32D-QS5U36TR
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
विस्तृत विवरण
पैकेज
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
विवरण तालिका
QS5U36TR.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 139370

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मात्रा

विशेष विवरण

QS5U36TR तकनीकी विनिर्देश
Rohm Semiconductor - QS5U36TR तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Rohm Semiconductor - QS5U36TR के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक LAPIS Technology  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.3V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±10V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TSMT5  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 81mOhm @ 2.5A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.25W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 280 pF @ 10 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 3.5 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर Schottky Diode (Isolated)  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.5V, 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.5A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या QS5U36  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Rohm Semiconductor QS5U36TR के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
भाग संख्या QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
उत्पादक Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET फ़ीचर Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
शृंखला - - - -
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 3.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
परिचालन तापमान 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स) ±10V ±12V 10V ±12V
आधार उत्पाद संख्या QS5U36 QS5U28 QS5U34 QS5U21
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.5A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 280 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
पैकेज / प्रकरण SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA

QS5U36TR डेटशीट पीडीएफ

QS5U36TR - Rohm Semiconductor के लिए QS5U36TR PDF DataSheets और Rohm Semiconductor प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
पर्यावरण सूचना
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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