- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
SI8810.pdfएक बेहतर कीमत चाहते हैं?
ADD ADA और सबमिट RFQ अब, हम आपसे तुरंत संपर्क करेंगे।
| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 5+ | $0.055 | $0.28 |
| 50+ | $0.045 | $2.25 |
| 150+ | $0.04 | $6.00 |
| 500+ | $0.037 | $18.50 |
| 3000+ | $0.034 | $102.00 |
| 6000+ | $0.032 | $192.00 |
SI8810-TP तकनीकी विनिर्देश
Micro Commercial Co - SI8810-TP तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Micro Commercial Co - SI8810-TP के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Micro Commercial Components (MCC) | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1V @ 250µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±12V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOT-23 | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 20mOhm @ 7A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 300mW | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| पैकेट | Bulk |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 890 pF @ 10 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 15 nC @ 10 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.8V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 7A | |
| आधार उत्पाद संख्या | SI8810 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Micro Commercial Co SI8810-TP के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ||||
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | SI8810EDB-T2-E1 | SI8821EDB-T2-E1 | SI8817DB-T2-E1 | SI8809EDB-T2-E1 |
| उत्पादक | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| पैकेज / प्रकरण | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | - | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | - | - | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - | - | - | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - | - | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | - | - | - | - |
| परिचालन तापमान | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| आधार उत्पाद संख्या | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | - | - | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | - | - | - |
| पैकेट | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET प्रकार | - | - | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | - | - | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - | - | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
SI8810-TP - Micro Commercial Co के लिए SI8810-TP PDF DataSheets और Micro Commercial Co प्रलेखन डाउनलोड करें।
SI8800EDB-T2-E1 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI8817DBElectro-Films (EFI) / Vishay
SI8817DB-T2-E1 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI8817DB-T2-E1-AElectro-Films (EFI) / Vishay
SI8800EDB-T2-E1DKR-NDElectro-Films (EFI) / Vishayआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |

एक बेहतर कीमत चाहते हैं? ADD ADA और सबमिट RFQ अब, हम आपसे तुरंत संपर्क करेंगे।