- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
APTCV60HM70RT3G.pdfपीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Devices 01/Nov/2017.pdfAPTCV60HM70RT3G तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - APTCV60HM70RT3G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - APTCV60HM70RT3G के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Microsemi | |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 600 V | |
| Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी | 1.9V @ 15V, 50A | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SP3 | |
| शृंखला | - | |
| पावर - मैक्स | 250 W | |
| पैकेज / प्रकरण | SP3 | |
| पैकेट | Tray | |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| एनटीसी Thermistor | Yes | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount | |
| इनपुट समाई (CIES) @ Vce | 3.15 nF @ 25 V | |
| इनपुट | Single Phase Bridge Rectifier | |
| आईजीबीटी प्रकार | Trench Field Stop | |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 250 µA | |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 50 A | |
| विन्यास | Full Bridge Inverter |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | APTCV60HM70BT3G | APTCV60HM45BC20T3G | APTCV60HM45RT3G | APTCV60HM45RCT3G |
| उत्पादक | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | - | - | - | - |
| इनपुट | - | - | - | - |
| आईजीबीटी प्रकार | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| पैकेट | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | - | - | - | - |
| विन्यास | - | - | - | S/H-ADC |
| एनटीसी Thermistor | - | - | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| पावर - मैक्स | - | - | - | - |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | - | - | - | - |
| Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी | - | - | - | - |
| इनपुट समाई (CIES) @ Vce | - | - | - | - |
| परिचालन तापमान | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
APTCV60HM70RT3G - Microsemi Corporation के लिए APTCV60HM70RT3G PDF DataSheets और Microsemi Corporation प्रलेखन डाउनलोड करें।
APTCV60HM45BT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCLVTRAPEM Inc.SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
APTCV60HM45BC20T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60HM45RT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCLGVTRAPEM Inc.SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
APTCV90TL12T3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
APTD1608L-CHS47-5MAVKingbright
APTCV60TLM24T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
APTCV50H60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
APTCV60HM45RCT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60TLM70T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
APTCV60TLM99T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
APTCV60HM70BT3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTD1608-ELB33Kingbright
APTD1608-EF27Kingbright
APTCV60TLM45T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
APTCV40H60CT1GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP1आपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |

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