- Jess***Jones
- 2026/04/17
पीसीएन पैकेजिंग
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdfHAT2116H-EL-E तकनीकी विनिर्देश
Renesas Electronics America Inc - HAT2116H-EL-E तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Renesas Electronics America Inc - HAT2116H-EL-E के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Renesas Electronics Corporation | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | LFPAK | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8.2mOhm @ 15A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 15W (Tc) | |
| पैकेज / प्रकरण | SC-100, SOT-669 | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1650 pF @ 10 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 26 nC @ 10 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 30A (Ta) | |
| आधार उत्पाद संख्या | HAT2116 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Renesas Electronics America Inc HAT2116H-EL-E के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | HAT2116H-EL-E | HAT2131R-EL-E | HAT2134H-EL-E | HAT2114R-EL-E |
| उत्पादक | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics Corporation | Renesas Electronics Corporation |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 15W (Tc) | 2.5W (Ta) | - | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8.2mOhm @ 15A, 10V | 3Ohm @ 450mA, 10V | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | ±20V | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | HAT2116 | HAT2131 | - | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 26 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | - | - |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | - | - | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 30A (Ta) | 900mA (Ta) | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30 V | 350 V | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | SC-100, SOT-669 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | LFPAK | 8-SOP | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1650 pF @ 10 V | 460 pF @ 25 V | - | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | 4V, 10V | - | - |
HAT2116H-EL-E - Renesas Electronics America Inc के लिए HAT2116H-EL-E PDF DataSheets और Renesas Electronics America Inc प्रलेखन डाउनलोड करें।
HAT2134H-EL-ERenesas Electronics Corporation
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HAT2114RJ-EL-ERenesas Electronics Corporation
HAT2114R-ELRenesas Electronics Corporation
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HAT2114RVBSEMI
HAT2116HRenesas Electronics Corporationआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |

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