- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
STP7N90K5.pdfपीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfPCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdfएक बेहतर कीमत चाहते हैं?
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $1.179 | $1.18 |
| 200+ | $0.456 | $91.20 |
| 500+ | $0.441 | $220.50 |
| 1000+ | $0.432 | $432.00 |
STP7N90K5 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STP7N90K5 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STP7N90K5 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | STMicroelectronics | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 100µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±30V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220 | |
| शृंखला | MDmesh™ K5 | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 810mOhm @ 4A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 110W (Tc) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 | |
| पैकेट | Tube |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 425 pF @ 10 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 17.7 nC @ 10 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 900 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 7A (Tc) | |
| आधार उत्पाद संख्या | STP7 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STP7N90K5 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ||||
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | STP7LN80K5 | STP7N105K5 | STP7N80K5 | STP7N95K3 |
| उत्पादक | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| पैकेट | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| आधार उत्पाद संख्या | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | - | - | - | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| FET प्रकार | - | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | - | - | - | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - | - | - | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | - | - | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | - | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| माउन्टिंग का प्रकार | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| परिचालन तापमान | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | - | - | - | - |
| वीजीएस (मैक्स) | - | - | - | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | - | - | - | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - | - | - | - |
STP7N90K5 - STMicroelectronics के लिए STP7N90K5 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।
STP7NB80STMicroelectronics
STP7NB60FP MOS
STP7NA40STMicroelectronics
STP7NB60FP
STP7NB40STMicroelectronics
STP78NF55-08STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V TO-220
STP7NC70ZFPSTMicroelectronics
STP7NB80FPSTMicroelectronicsआपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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