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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSI5486DU-T1-E3
Vishay Siliconix
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SI5486DU-T1-E3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI5486DU-T1-E3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI5486DU-T1-E3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
PowerPAK® ChipFET™ Single
विवरण तालिका
SI5486DU.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 5370

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मात्रा

विशेष विवरण

SI5486DU-T1-E3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI5486DU-T1-E3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI5486DU-T1-E3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±8V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerPAK® ChipFET™ Single  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 15mOhm @ 7.7A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.1W (Ta), 31W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण PowerPAK® ChipFET™ Single  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2100 pF @ 10 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 54 nC @ 8 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.8V, 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SI5486  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI5486DU-T1-E3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI5486DU-T1-E3 SI5484DU-T1-GE3 SI5486DU-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3
भाग संख्या SI5486DU-T1-E3 SI5484DU-T1-GE3 SI5486DU-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वीजीएस (मैक्स) ±8V ±12V ±8V ±8V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
पैकेज / प्रकरण PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single 8-SMD, Flat Lead
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
आधार उत्पाद संख्या SI5486 SI5484 SI5486 SI5475
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 6A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single 1206-8 ChipFET™
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 15mOhm @ 7.7A, 4.5V 16mOhm @ 7.6A, 4.5V 15mOhm @ 7.7A, 4.5V 32mOhm @ 5.4A, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V 20 V 20 V 12 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2100 pF @ 10 V 1600 pF @ 10 V 2100 pF @ 10 V 1600 pF @ 6 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 54 nC @ 8 V 55 nC @ 10 V 54 nC @ 8 V 50 nC @ 8 V

SI5486DU-T1-E3 डेटशीट पीडीएफ

SI5486DU-T1-E3 - Vishay Siliconix के लिए SI5486DU-T1-E3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SI5486DU.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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