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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSI6423ADQ-T1-GE3
SI6423ADQ-T1-GE3 Image
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SI6423ADQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI6423ADQ-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI6423ADQ-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
विवरण तालिका
Si6423ADQ.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 110950

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मात्रा

विशेष विवरण

SI6423ADQ-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI6423ADQ-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI6423ADQ-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±8V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-TSSOP  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.8mOhm @ 10A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5875 pF @ 10 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 168 nC @ 8 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SI6423  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI6423ADQ-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI6423ADQ-T1-GE3 SI6433BDQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-GE3
भाग संख्या SI6423ADQ-T1-GE3 SI6433BDQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-E3 SI6410DQ-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5875 pF @ 10 V - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 168 nC @ 8 V 15 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.8mOhm @ 10A, 4.5V 40mOhm @ 4.8A, 4.5V 14mOhm @ 7.8A, 10V 14mOhm @ 7.8A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V 12 V 30 V 30 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
आधार उत्पाद संख्या SI6423 SI6433 SI6410 SI6410
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) 1.05W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
FET प्रकार P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±8V ±8V ±20V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) 4A (Ta) 7.8A (Ta) 7.8A (Ta)

SI6423ADQ-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SI6423ADQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SI6423ADQ-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
Si6423ADQ.pdf
पर्यावरण सूचना
Material Compliance.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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Vishay Siliconix
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