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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSI7898DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

SI7898DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI7898DP-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI7898DP-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
विस्तृत विवरण
पैकेज
PowerPAK® SO-8
विवरण तालिका
Si7898DP.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 27643

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मात्रा

विशेष विवरण

SI7898DP-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI7898DP-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI7898DP-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerPAK® SO-8  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 85mOhm @ 3.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.9W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण PowerPAK® SO-8  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 21 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या SI7898  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI7898DP-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-GE3 MOS SI7900AEDN-T1
भाग संख्या SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-GE3 MOS SI7900AEDN-T1
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA - -
पैकेज / प्रकरण PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 - -
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3A (Ta) 3A (Ta) - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta) - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 85mOhm @ 3.5A, 10V 85mOhm @ 3.5A, 10V - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 21 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V - -
आधार उत्पाद संख्या SI7898 SI7898 - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V 6V, 10V - -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 150 V - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel - -

SI7898DP-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SI7898DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SI7898DP-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
Si7898DP.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
  2. शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।
(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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