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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

SIE848DF-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SIE848DF-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SIE848DF-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
10-PolarPAK® (L)
विवरण तालिका
SIE848DF.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 5130

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मात्रा

विशेष विवरण

SIE848DF-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SIE848DF-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SIE848DF-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 10-PolarPAK® (L)  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.6mOhm @ 25A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 5.2W (Ta), 125W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण 10-PolarPAK® (L)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6100 pF @ 15 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 138 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 60A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SIE848  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SIE848DF-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE810DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3
भाग संख्या SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE810DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 50A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6100 pF @ 15 V 6100 pF @ 15 V 13000 pF @ 10 V 3100 pF @ 15 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 138 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
पैकेज / प्रकरण 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (U)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.6mOhm @ 25A, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 1.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (U)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±12V ±20V
आधार उत्पाद संख्या SIE848 SIE848 SIE810 SIE862

SIE848DF-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SIE848DF-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SIE848DF-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SIE848DF.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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