- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
SQR40N10-25.pdfPCN भाग संख्या
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdfPCN असेंबली/ओरिजिन
SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014.pdfएक बेहतर कीमत चाहते हैं?
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $1.172 | $1.17 |
SQR40N10-25_GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SQR40N10-25_GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SQR40N10-25_GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Vishay / Siliconix | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-252 (DPAK) Reverse Lead | |
| शृंखला | TrenchFET® | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 25mOhm @ 40A, 10V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 136W (Tc) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3380 pF @ 25 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 70 nC @ 10 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 40A (Tc) | |
| आधार उत्पाद संख्या | SQR40 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SQR40N10-25_GE3 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
|
|---|---|---|
| भाग संख्या | SQR40N10-25_GE3 | VRN2ESSX7102 |
| उत्पादक | Vishay Siliconix | Honeywell |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA | - |
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3380 pF @ 25 V | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 136W (Tc) | - |
| FET फ़ीचर | - | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100 V | - |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| शृंखला | TrenchFET® | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 40A (Tc) | - |
| आधार उत्पाद संख्या | SQR40 | - |
| FET प्रकार | N-Channel | - |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Box |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 70 nC @ 10 V | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-252 (DPAK) Reverse Lead | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 25mOhm @ 40A, 10V | - |
SQR40N10-25_GE3 - Vishay Siliconix के लिए SQR40N10-25_GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।
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| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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