- Jess***Jones
- 2026/04/17
डाटा शीट
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| मात्रा | यूनिट मूल्य | Ext।कीमत |
|---|---|---|
| 1+ | $10.621 | $10.62 |
| 10+ | $9.951 | $99.51 |
| 30+ | $9.225 | $276.75 |
| 90+ | $8.592 | $773.28 |
IV1Q12050T4 तकनीकी विनिर्देश
Inventchip - IV1Q12050T4 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Inventchip - IV1Q12050T4 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Inventchip | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.2V @ 6mA | |
| वीजीएस (मैक्स) | +20V, -5V | |
| प्रौद्योगिकी | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-247-4 | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 65mOhm @ 20A, 20V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 344W (Tc) | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-247-4 | |
| पैकेट | Tube |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2750 pF @ 800 V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 120 nC @ 20 V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 20V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 1200 V | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 58A (Tc) |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | ROHS3 आज्ञाकारी |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
दाईं ओर के तीन भागों में Inventchip IV1Q12050T4 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | IV1Q12050T4 | IV1Q12050T3 | IV1Q12160T4 | IV1215SA |
| उत्पादक | Inventchip | Inventchip | Inventchip | XP Power |
| FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| प्रौद्योगिकी | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 58A (Tc) | 58A (Tc) | 20A (Tc) | - |
| शृंखला | - | - | - | IV (1W) |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 65mOhm @ 20A, 20V | 65mOhm @ 20A, 20V | 195mOhm @ 10A, 20V | - |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.2V @ 6mA | 3.2V @ 6mA | 2.9V @ 1.9mA | - |
| वीजीएस (मैक्स) | +20V, -5V | +20V, -5V | +20V, -5V | - |
| पैकेट | Tube | Tube | Tube | Tube |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 344W (Tc) | 327W (Tc) | 138W (Tc) | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 20V | 20V | 20V | - |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2750 pF @ 800 V | 2770 pF @ 800 V | 885 pF @ 800 V | - |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 120 nC @ 20 V | 120 nC @ 20 V | 43 nC @ 20 V | - |
| पैकेज / प्रकरण | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | 7-SIP Module, 4 Leads |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 85°C |
IV1Q12050T4 - Inventchip के लिए IV1Q12050T4 PDF DataSheets और Inventchip प्रलेखन डाउनलोड करें।
IV1Q12050T3InventchipSIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1D12010T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
IV1D12020T3InventchipSIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
IV1D12005O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
IV1D12015T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
IV1D12010O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
IV1D12020T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
IV1D06006P3InventchipDIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
IV1D12040U2InventchipSIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2
IV1Q12160T4InventchipSIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1D12030U3InventchipSIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
IV1D06006O2InventchipDIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220आपकी ईमेल आईडी प्रकाशित नहीं की जाएगी।
| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |

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